Transistor MOSFET pour amplificateur audio en classe D

Le transistor DirectFET IRF6665 est optimisé pour de meilleures performances audio en termes de rendement, distorsion harmonique et densité de puissance.
Le rendement élevé permet d’obtenir jusqu’à 100 W sur une charge de 8 Ohms sans dissipateur.
Le boîtier DirectFET réduit l’inductance des connexions et l’absence de dissipateur diminue l’encombrement.
Spécifié pour 100 V et 19 A maximum à 25°C, l’IRF6665 offre une résistance à l’état passant de 51 milliohms, une charge de grille de 8 nanocoulombs et une charge de commutation de 3,5 nanocoulombs.
Ces paramètres déterminent le rendement du transistor dans une application d’amplificateur audio en classe D.