Destinés aux convertisseurs à redressement synchrone au secondaire, ces transistors MOSFET de puissance 75 V et 100 V en boîtier TO-220 fournissent un rendement très élevé et réduisent de 30 % le nombre de composants par rapport aux solutions concurrentes dans le même boîtier. Ils sont disponibles en boîtier sans plomb et garantis conforme RoHS.L’IRFB3077PbF (75V) est doté d’une résistance de 3,3 milliohm maximum à l’état passant. Il peut être utilisé dans les alimentations pour serveurs de 3 kW à sortie 12 V et dans les montages ORing à rail 48 V. L’IRFB4110PbF est un transistor 100 V qui présente une résistance maximale à l’état passant de 4,5 milliohm. Il convient au redressement haute puissance au secondaire en mode Flyback, dans les convertisseurs 48 V pour les télécommunications et pour les commandes de moteurs sans balais.