Jeu de circuits pour convertisseurs à haute densité

Destiné aux convertisseurs abaisseurs de proximité 20 V, cette paire de MOSFET offre des performances similaires à ceux qui sont en boîtier SO-8, mais avec une réduction de taille de 40 %.
L’IRF6610 présente une charge de grille de 10 nC seulement alors que l’IRF6636 est un MOSFET de puissance doté d’une résistance à l’état passant de 40 mOhm.
Les composants IRF6636/6691 peuvent remplacer jusqu’à 4 MOSFET SO-8 optimisés thermiquement. L’IRF6610 peut s’utiliser en FET de contrôle optimisé.
L’IRF6636 a une charge de grille de 18 nC et s’utilise comme FET synchrone associé avec un IRF6610 dans une application 15 A, soit comme FET de contrôle avec un IRF6691 dans une application multiphase à 35 A par phase.