Nanofils pour mémoire hyperdense

Le 08 avril 2007 par Rédaction L'Usine Nouvelle

Mots clés : Technos et Innovations, Jc Decaux

Les chercheurs d'IBM ont amélioré une technologie de stockage à base de nanofils métalliques. Une telle mémoire serait cent fois plus dense que celle des PC actuels.

Une mémoire rapide et peu chère à fabriquer. Souvent annoncée, jamais dévoilée, la technologie de stockage idéale se concrétise enfin. Des chercheurs d'IBM viennent d'améliorer une structure à base de nanofils qui aboutirait à une mémoire cent fois plus dense que celle de nos ordinateurs. Tout en restant aussi facile à produire qu'un disque dur. Non volatile - les informations restent stockées quand la mémoire n'est plus alimentée - elle s'intégrerait aux PC et aux appareils mobiles, tels les baladeurs vidéo.

Un mur magnétique

A la base de cette technologie quasi parfaite, une structure de mémoire dévoilée par IBM en 2005. Dite à circuits magnétiques, elle est composée de nanofils métalliques sur lesquels sont stockés les bits d'information : les 0 et les 1 correspondent à des portions dont les moments magnétiques sont opposés. Pour lire ou écrire une information, un courant, envoyé dans le fil, décale les bits et les amène jusqu'au système de lecture/écriture.

Des impulsions électriques pour lire et écrire les informations binaires

C'est là que se situait la principale faiblesse du système. Les chercheurs ont réalisé que la densité du courant à envoyer bondissait dès que le fil présentait un défaut. Elle pouvait atteindre plus de 100 millions d'ampères par centimètre carré, densité incompatible avec les ordinateurs ou les baladeurs du commerce.

Pour la réduire, l'équipe IBM du laboratoire d'Almaden (Californie) a étudié le comportement des bits d'information lorsqu'ils se heurtent à un défaut. Les chercheurs ont observé que la zone entre deux bits différents, décrite comme un « mur magnétique », oscille régulièrement. Et qu'en envoyant une série précise d'impulsions électriques, ils peuvent la faire entrer en résonance et dépasser le défaut. Débloqués, les bits continuent leur route jusqu'au système de lecture/écriture. La mémoire à nano-fils fonctionne à nouveau.

Luc Mathieu